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BSO207PHXUMA1

BSO207PHXUMA1

僅供參考

型號 BSO207PHXUMA1
PNEDA編號 BSO207PHXUMA1
描述 MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO207PHXUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO207PHXUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSO207PHXUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 44µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1650pF @ 15V
功率-最大1.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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170mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.43nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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工作溫度

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