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BSP149 E6906

BSP149 E6906

僅供參考

型號 BSP149 E6906
PNEDA編號 BSP149-E6906
描述 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP149 E6906資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP149 E6906
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSP149 E6906規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)660mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 400µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds430pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

360mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta), 1.14W (Tc)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1113pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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