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BSP19AT1G

BSP19AT1G

僅供參考

型號 BSP19AT1G
PNEDA編號 BSP19AT1G
描述 TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP19AT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP19AT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BSP19AT1G, BSP19AT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 105.55 KB)
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BSP19AT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 20mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡70MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

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Microsemi

制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 500mV

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

75µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

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