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BSP324H6327XTSA1

BSP324H6327XTSA1

僅供參考

型號 BSP324H6327XTSA1
PNEDA編號 BSP324H6327XTSA1
描述 MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP324H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP324H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSP324H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 94µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds154pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

560mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2246pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1900A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 1600A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2900nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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