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BSP52T3G

BSP52T3G

僅供參考

型號 BSP52T3G
PNEDA編號 BSP52T3G
描述 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP52T3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP52T3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BSP52T3G, BSP52T3G數據表 (總頁數: 4, 大小: 132.56 KB)
PDFBSP52T3數據表 封面
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BSP52T3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 500mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

2µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2A, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 400mA, 10V

功率-最大

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工作溫度

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