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BSP89 E6327

BSP89 E6327

僅供參考

型號 BSP89 E6327
PNEDA編號 BSP89-E6327
描述 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP89 E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP89 E6327
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSP89 E6327, BSP89 E6327數據表 (總頁數: 8, 大小: 582.65 KB)
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BSP89 E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)240V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.8V @ 108µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT223-4
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

124W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2525pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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