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BSS126 E6327

BSS126 E6327

僅供參考

型號 BSS126 E6327
PNEDA編號 BSS126-E6327
描述 MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS126 E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS126 E6327
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS126 E6327, BSS126 E6327數據表 (總頁數: 9, 大小: 257.17 KB)
PDFBSS126H6327XTSA1數據表 封面
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BSS126 E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 8µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.1nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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