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BSS138BKW,115

BSS138BKW,115

僅供參考

型號 BSS138BKW,115
PNEDA編號 BSS138BKW-115
描述 MOSFET N-CH 60V SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 617,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS138BKW資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS138BKW,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS138BKW, BSS138BKW數據表 (總頁數: 16, 大小: 1,580.49 KB)
PDFBSS138BKW-BX數據表 封面
BSS138BKW-BX數據表 頁面 2 BSS138BKW-BX數據表 頁面 3 BSS138BKW-BX數據表 頁面 4 BSS138BKW-BX數據表 頁面 5 BSS138BKW-BX數據表 頁面 6 BSS138BKW-BX數據表 頁面 7 BSS138BKW-BX數據表 頁面 8 BSS138BKW-BX數據表 頁面 9 BSS138BKW-BX數據表 頁面 10 BSS138BKW-BX數據表 頁面 11

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BSS138BKW規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)320mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 320mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds56pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)260mW (Ta), 830mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70
包裝/箱SC-70, SOT-323

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 680mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

146pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.8V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

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OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6240pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 7.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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