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BSS159N E6327

BSS159N E6327

僅供參考

型號 BSS159N E6327
PNEDA編號 BSS159N-E6327
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS159N E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS159N E6327
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS159N E6327, BSS159N E6327數據表 (總頁數: 9, 大小: 308.46 KB)
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BSS159N E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 26µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.9nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds44pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)360mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

660W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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