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BSS214NWH6327XTSA1

BSS214NWH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSS214NWH6327XTSA1
PNEDA編號 BSS214NWH6327XTSA1
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 25,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS214NWH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS214NWH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSS214NWH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 3.7µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.8nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds143pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT323-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8030pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 25.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

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