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BSS308PEH6327XTSA1

BSS308PEH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSS308PEH6327XTSA1
PNEDA編號 BSS308PEH6327XTSA1
描述 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 726,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS308PEH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS308PEH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSS308PEH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 590µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

129W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1423pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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