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BSS314PEL6327HTSA1

BSS314PEL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSS314PEL6327HTSA1
PNEDA編號 BSS314PEL6327HTSA1
描述 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS314PEL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS314PEL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS314PEL6327HTSA1, BSS314PEL6327HTSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 488.61 KB)
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BSS314PEL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 6.3µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds294pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1627pF @ 25V

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4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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