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BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSS670S2LH6327XTSA1
PNEDA編號 BSS670S2LH6327XTSA1
描述 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 232,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 23 - 十二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS670S2LH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS670S2LH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSS670S2LH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)540mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 2.7µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

396mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

305nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7868pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

543W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.3A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 13.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.58nC @ 4V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50.54pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

425mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

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