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BSS7728NH6327XTSA1

BSS7728NH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSS7728NH6327XTSA1
PNEDA編號 BSS7728NH6327XTSA1
描述 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSS7728NH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSS7728NH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSS7728NH6327XTSA1, BSS7728NH6327XTSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 137.51 KB)
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BSS7728NH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 26µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds56pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1918pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

183W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

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