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BSV79

BSV79

僅供參考

型號 BSV79
PNEDA編號 BSV79
描述 IC FET N-CH TO-18
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSV79資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSV79
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
BSV79, BSV79數據表 (總頁數: 4, 大小: 432.63 KB)
PDFBSV80數據表 封面
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BSV79規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 10V
電阻-RDS(On)40 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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