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BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1

僅供參考

型號 BSZ075N08NS5ATMA1
PNEDA編號 BSZ075N08NS5ATMA1
描述 MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 51,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSZ075N08NS5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSZ075N08NS5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSZ075N08NS5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 36µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2080pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)69W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TSDSON-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

4-DFN-EP (8x8)

包裝/箱

4-VSFN Exposed Pad

IRL3715TRL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

AUIRFR5505TRL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 78.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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