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BSZ088N03LSGATMA1

BSZ088N03LSGATMA1

僅供參考

型號 BSZ088N03LSGATMA1
PNEDA編號 BSZ088N03LSGATMA1
描述 MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 44,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSZ088N03LSGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSZ088N03LSGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSZ088N03LSGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TSDSON-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.05V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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