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BTS247ZE3062AATMA2

BTS247ZE3062AATMA2

僅供參考

型號 BTS247ZE3062AATMA2
PNEDA編號 BTS247ZE3062AATMA2
描述 MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BTS247ZE3062AATMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BTS247ZE3062AATMA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BTS247ZE3062AATMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列TEMPFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)33A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 90µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1730pF @ 25V
FET功能Temperature Sensing Diode
功耗(最大值)120W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-5-2
包裝/箱TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

310mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

285W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

182A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

360W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 90W (Tc)

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安裝類型

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