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BU4S11G2-TR

BU4S11G2-TR

僅供參考

型號 BU4S11G2-TR
PNEDA編號 BU4S11G2-TR
描述 IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 49,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BU4S11G2-TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BU4S11G2-TR
類別半導體邏輯IC邏輯-柵極和反相器
數據表
BU4S11G2-TR, BU4S11G2-TR數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,334.37 KB)
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BU4S11G2-TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列4S
邏輯類型NAND Gate
電路數1
輸入數量2
功能-
電壓-供電3V ~ 16V
當前-靜態(最大值)1µA
電流-輸出高,低3.4mA, 3.4mA
邏輯電平-低1.5V ~ 4V
邏輯電平-高3.5V ~ 11V
最大傳播延遲@ V,最大CL30ns @ 15V, 50pF
工作溫度-40°C ~ 85°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-SSOP
包裝/箱SC-74A, SOT-753

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邏輯電平-低

0.4V ~ 0.5V

邏輯電平-高

3.4V

最大傳播延遲@ V,最大CL

20ns @ 5V, 15pF

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當前-靜態(最大值)

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電流-輸出高,低

5.2mA, 5.2mA

邏輯電平-低

0.5V ~ 1.8V

邏輯電平-高

1.5V ~ 4.2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

16ns @ 6V, 50pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C

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2V ~ 3.6V

當前-靜態(最大值)

2µA

電流-輸出高,低

4mA, 4mA

邏輯電平-低

0.5V ~ 0.8V

邏輯電平-高

1.5V ~ 2.4V

最大傳播延遲@ V,最大CL

9.7ns @ 3.3V, 50pF

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