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BU508AFTBTU

BU508AFTBTU

僅供參考

型號 BU508AFTBTU
PNEDA編號 BU508AFTBTU
描述 TRANS NPN 700V 5A TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 1 - 十月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BU508AFTBTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BU508AFTBTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BU508AFTBTU, BU508AFTBTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 51.16 KB)
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BU508AFTBTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 2A, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2.25 @ 4.5A, 5V
功率-最大60W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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