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BUH51G

BUH51G

僅供參考

型號 BUH51G
PNEDA編號 BUH51G
描述 TRANS NPN 500V 3A TO-225
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUH51G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUH51G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUH51G, BUH51G數據表 (總頁數: 10, 大小: 186.51 KB)
PDFBUH51G數據表 封面
BUH51G數據表 頁面 2 BUH51G數據表 頁面 3 BUH51G數據表 頁面 4 BUH51G數據表 頁面 5 BUH51G數據表 頁面 6 BUH51G數據表 頁面 7 BUH51G數據表 頁面 8 BUH51G數據表 頁面 9 BUH51G數據表 頁面 10

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BUH51G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)500V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 1A, 1V
功率-最大50W
頻率-過渡23MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 1V

功率-最大

1.67W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100µA, 5V

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

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