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BUJ100,412

BUJ100,412

僅供參考

型號 BUJ100,412
PNEDA編號 BUJ100-412
描述 TRANS NPN 400V 1A TO92
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUJ100資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUJ100,412
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUJ100, BUJ100數據表 (總頁數: 10, 大小: 393.65 KB)
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BUJ100規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 150mA, 750mA
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce9 @ 750mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-18

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

290mV @ 80mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

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工作溫度

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 15A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 2V

功率-最大

1W

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