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BUK7E1R9-40E,127

BUK7E1R9-40E,127

僅供參考

型號 BUK7E1R9-40E,127
PNEDA編號 BUK7E1R9-40E-127
描述 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 39,378
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK7E1R9-40E資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK7E1R9-40E,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK7E1R9-40E, BUK7E1R9-40E數據表 (總頁數: 13, 大小: 713.89 KB)
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BUK7E1R9-40E規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs118nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)324W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

705pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK33

包裝/箱

SOT-1210, 8-LFPAK33

SIR646DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2230pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

IRF7807ATRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1000Ohm @ 500µA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

740mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.6A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

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