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BUK7E3R1-40E,127

BUK7E3R1-40E,127

僅供參考

型號 BUK7E3R1-40E,127
PNEDA編號 BUK7E3R1-40E-127
描述 MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK7E3R1-40E資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK7E3R1-40E,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK7E3R1-40E, BUK7E3R1-40E數據表 (總頁數: 13, 大小: 717.52 KB)
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BUK7E3R1-40E規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs79nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)234W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3440pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.98W (Ta), 113.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5160pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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37A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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