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BUK9Y25-60E/GFX

BUK9Y25-60E/GFX

僅供參考

型號 BUK9Y25-60E/GFX
PNEDA編號 BUK9Y25-60E-GFX
描述 MOSFET N-CH LFPAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9Y25-60E/GFX資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9Y25-60E/GFX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BUK9Y25-60E/GFX規格

制造商NXP USA Inc.
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5A, 1V

功率-最大

60W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 2V

功率-最大

10W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 1V

功率-最大

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