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BUK9Y7R6-40E/GFX

BUK9Y7R6-40E/GFX

僅供參考

型號 BUK9Y7R6-40E/GFX
PNEDA編號 BUK9Y7R6-40E-GFX
描述 MOSFET N-CH LFPAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK9Y7R6-40E/GFX資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK9Y7R6-40E/GFX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BUK9Y7R6-40E/GFX規格

制造商NXP USA Inc.
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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1A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 60mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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15nA (ICBO)

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