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BYC30W-1200PQ

BYC30W-1200PQ

僅供參考

型號 BYC30W-1200PQ
PNEDA編號 BYC30W-1200PQ
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYC30W-1200PQ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYC30W-1200PQ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYC30W-1200PQ, BYC30W-1200PQ數據表 (總頁數: 11, 大小: 358.73 KB)
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BYC30W-1200PQ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.3V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)65ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247-2
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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