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BYC8B-600PJ

BYC8B-600PJ

僅供參考

型號 BYC8B-600PJ
PNEDA編號 BYC8B-600PJ
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYC8B-600PJ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYC8B-600PJ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYC8B-600PJ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)18ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

TS-1

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

1N3595UR-1

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

125V

電流-平均整流(Io)

150mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AA

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

31A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 10A

電容@ Vr,F

1000F @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

HERAF802G C0G

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2000V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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