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BYG20G R3G

BYG20G R3G

僅供參考

型號 BYG20G R3G
PNEDA編號 BYG20G-R3G
描述 DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 138,720
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 5 - 一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG20G R3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG20G R3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BYG20G R3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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