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BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

僅供參考

型號 BYG21K-M3/TR3
PNEDA編號 BYG21K-M3-TR3
描述 DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG21K-M3/TR3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG21K-M3/TR3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYG21K-M3/TR3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)120ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

工作溫度-結點

150°C (Max)

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二極管類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

31.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1200V

電容@ Vr,F

754pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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TO-247-2

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制造商

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400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 50V

電容@ Vr,F

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包裝/箱

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