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BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

僅供參考

型號 BYG21KHE3_A/H
PNEDA編號 BYG21KHE3_A-H
描述 DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYG21KHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYG21KHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYG21KHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)120ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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30V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

ITO-220AC

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

2250pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-2

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-65°C ~ 155°C

GL41Y-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

25A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 75A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

工作溫度-結點

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