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BYM12-50-E3/97

BYM12-50-E3/97

僅供參考

型號 BYM12-50-E3/97
PNEDA編號 BYM12-50-E3-97
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYM12-50-E3/97資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYM12-50-E3/97
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYM12-50-E3/97規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

962mV @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 4A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

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