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BYM36E-TAP

BYM36E-TAP

僅供參考

型號 BYM36E-TAP
PNEDA編號 BYM36E-TAP
描述 DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 96,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYM36E-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYM36E-TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYM36E-TAP, BYM36E-TAP數據表 (總頁數: 5, 大小: 124.62 KB)
PDFBYM36E-TR數據表 封面
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BYM36E-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)2.9A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.78V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-64, Axial
供應商設備包裝SOD-64
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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300V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

ITO-220AC

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 10V

電容@ Vr,F

-

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20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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