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BYS10-35-E3/TR3

BYS10-35-E3/TR3

僅供參考

型號 BYS10-35-E3/TR3
PNEDA編號 BYS10-35-E3-TR3
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYS10-35-E3/TR3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYS10-35-E3/TR3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYS10-35-E3/TR3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 35V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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