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BYS459-1500SE3/45

BYS459-1500SE3/45

僅供參考

型號 BYS459-1500SE3/45
PNEDA編號 BYS459-1500SE3-45
描述 DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYS459-1500SE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYS459-1500SE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYS459-1500SE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1500V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 6.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)220ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1500V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

B, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

500mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

390mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

80pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123F

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.18V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 250V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Microde Button

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