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BYT51B-TAP

BYT51B-TAP

僅供參考

型號 BYT51B-TAP
PNEDA編號 BYT51B-TAP
描述 DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYT51B-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYT51B-TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYT51B-TAP, BYT51B-TAP數據表 (總頁數: 4, 大小: 133.05 KB)
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BYT51B-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-57, Axial
供應商設備包裝SOD-57
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 30V

電容@ Vr,F

330pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

421pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-247-2

工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

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