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BYT56K-TR

BYT56K-TR

僅供參考

型號 BYT56K-TR
PNEDA編號 BYT56K-TR
描述 DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYT56K-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYT56K-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYT56K-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-64, Axial
供應商設備包裝SOD-64
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

36ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

4V @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10.5mA @ 15V

電容@ Vr,F

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