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BYV10ED-600PJ

BYV10ED-600PJ

僅供參考

型號 BYV10ED-600PJ
PNEDA編號 BYV10ED-600PJ
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV10ED-600PJ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV10ED-600PJ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYV10ED-600PJ, BYV10ED-600PJ數據表 (總頁數: 10, 大小: 707.06 KB)
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BYV10ED-600PJ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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