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BYV25FD-600,118

BYV25FD-600,118

僅供參考

型號 BYV25FD-600,118
PNEDA編號 BYV25FD-600-118
描述 DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV25FD-600資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV25FD-600,118
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYV25FD-600, BYV25FD-600數據表 (總頁數: 11, 大小: 542.68 KB)
PDFBYV25FD-600數據表 封面
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BYV25FD-600規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點150°C (Max)

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200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

18A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 420V

電容@ Vr,F

302pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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GeneSiC Semiconductor

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

240A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D-67

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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500mV @ 400mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

20pF @ 25V, 1MHz

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