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BYV29F-300-E3/45

BYV29F-300-E3/45

僅供參考

型號 BYV29F-300-E3/45
PNEDA編號 BYV29F-300-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV29F-300-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV29F-300-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYV29F-300-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

364pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-221AC, SMA Flat Leads

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

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