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BYVB32-150-E3/81

BYVB32-150-E3/81

僅供參考

型號 BYVB32-150-E3/81
PNEDA編號 BYVB32-150-E3-81
描述 DIODE ARRAY GP 150V 18A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYVB32-150-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYVB32-150-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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BYVB32-150-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)18A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

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6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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