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BYW29-50HE3/45

BYW29-50HE3/45

僅供參考

型號 BYW29-50HE3/45
PNEDA編號 BYW29-50HE3-45
描述 DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYW29-50HE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYW29-50HE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYW29-50HE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1700V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 75A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1700V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Sawn on foil

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-277A (SMPC)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

420mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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