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BYWE29-150-E3/45

BYWE29-150-E3/45

僅供參考

型號 BYWE29-150-E3/45
PNEDA編號 BYWE29-150-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 150V TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYWE29-150-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYWE29-150-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYWE29-150-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 150V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 1200V

電容@ Vr,F

545pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 20V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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