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BYWF29-200-E3/45

BYWF29-200-E3/45

僅供參考

型號 BYWF29-200-E3/45
PNEDA編號 BYWF29-200-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 21,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYWF29-200-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYWF29-200-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYWF29-200-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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2800V

電流-平均整流(Io)

4000A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30µs

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 2800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

MBRB10H90HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-263AB

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GeneSiC Semiconductor

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1200V

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75A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

14µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1089pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-2

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制造商

Micro Commercial Co

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-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

465mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

24ns

當前-反向泄漏@ Vr

44µA @ 45V

電容@ Vr,F

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