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BZD17C12P M2G

BZD17C12P M2G

僅供參考

型號 BZD17C12P M2G
PNEDA編號 BZD17C12P-M2G
描述 DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZD17C12P M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZD17C12P M2G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZD17C12P M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±5.41%
功率-最大800mW
阻抗(最大值)(閽zt)7 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

50 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 37.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 3.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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公差

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功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 3.72V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

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5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

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