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BZD17C200P R3G

BZD17C200P R3G

僅供參考

型號 BZD17C200P R3G
PNEDA編號 BZD17C200P-R3G
描述 DIODE ZENER 200V 800MW SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZD17C200P R3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZD17C200P R3G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZD17C200P R3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)200V
公差±6%
功率-最大800mW
阻抗(最大值)(閽zt)750 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 150V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 8.12V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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安裝類型

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包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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