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BZD27B200P-HE3-18

BZD27B200P-HE3-18

僅供參考

型號 BZD27B200P-HE3-18
PNEDA編號 BZD27B200P-HE3-18
描述 DIODE ZENER 200V 0.8W DO-219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZD27B200P-HE3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZD27B200P-HE3-18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZD27B200P-HE3-18, BZD27B200P-HE3-18數據表 (總頁數: 8, 大小: 134.3 KB)
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BZD27B200P-HE3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, BZD27B
電壓-齊納(額定)(Vz)200V
公差-
功率-最大800mW
阻抗(最大值)(閽zt)500 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 150V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 12V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 35.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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公差

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阻抗(最大值)(閽zt)

38 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 27.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

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