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BZD27C30P-HE3-18

BZD27C30P-HE3-18

僅供參考

型號 BZD27C30P-HE3-18
PNEDA編號 BZD27C30P-HE3-18
描述 DIODE ZENER 800MW SMF DO219
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZD27C30P-HE3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZD27C30P-HE3-18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZD27C30P-HE3-18, BZD27C30P-HE3-18數據表 (總頁數: 8, 大小: 133.77 KB)
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BZD27C30P-HE3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, BZD27C
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差-
功率-最大800mW
阻抗(最大值)(閽zt)15 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 22V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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