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BZG05B30-HE3-TR

BZG05B30-HE3-TR

僅供參考

型號 BZG05B30-HE3-TR
PNEDA編號 BZG05B30-HE3-TR
描述 DIODE ZENER 30V 1.25W DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZG05B30-HE3-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZG05B30-HE3-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZG05B30-HE3-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差±2%
功率-最大1.25W
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 22V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

BZG03B-M

電壓-齊納(額定)(Vz)

43V

公差

±2%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

45 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 33V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

56V

公差

±5%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

150 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 43V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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30V

公差

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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