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BZM55B3V0-TR3

BZM55B3V0-TR3

僅供參考

型號 BZM55B3V0-TR3
PNEDA編號 BZM55B3V0-TR3
描述 DIODE ZENER 500MW MICROMELF
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.7645
500 ---------- $0.7287
1,000 ---------- $0.6929
2,500 ---------- $0.6570
5,000 ---------- $0.6272
10,000 ---------- $0.5973
庫存 16,522
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZM55B3V0-TR3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZM55B3V0-TR3
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZM55B3V0-TR3, BZM55B3V0-TR3數據表 (總頁數: 7, 大小: 122.53 KB)
PDFBZM55B12-TR數據表 封面
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BZM55B3V0-TR3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)600 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr4µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝MicroMELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

62V

公差

±2%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

42 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 44.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

T-18

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ON Semiconductor

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電壓-齊納(額定)(Vz)

5.6V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

Axial

TZM5252F-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

24V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

600 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

SOD-80

MMSZ4716T1

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

39V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 29.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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